BSZ120P03NS3GATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ120P03NS3GATMA1 par Infineon et BSZ0901NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1 - -30V P-Ch 12mOhm OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSZ120P03NS3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ120P03NS3GATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,12 | $0,34 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA=25C) | -11 A | — |
| Continuous Drain Current (TC=25C) | -40 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 52 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 12 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -1.7 V | — |
| Technology | OptiMOS P3 | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |