BSZ130N03LSGATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ130N03LSGATMA1 par Infineon et IPD30N08S2L21ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ130N03LSGATMA1 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,41 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | 10 A | — |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | 35 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 13 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | 2.2 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 25 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +175C |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial (non-automotive) | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| Nombre de broches | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |