BSZ130N03LSGATMA1 vs IPD30N08S2L21ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ130N03LSGATMA1 por Infineon e IPD30N08S2L21ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 ✓ AtivoInfineon
IPD30N08S2L21ATMA1 - 75V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET DPAK | Infineon
IPD30N08S2L21ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSZ130N03LSGATMA1 | IPD30N08S2L21ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,41 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta=25 C) | 10 A | — |
| Corrente de dreno contínua (TC=25°C) | 35 A | — |
| On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V | 13 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA | 2.2 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 25 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +175C |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial (non-automotive) | — |
| Series | — | OptiMOS |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 30 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10 V | — | 26 milliohm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (L series) |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 56 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 136 W |
| Maximum Junction Temperature | — | +175C |
| Contagem de pinos | — | 3 (Drain tab + Gate + Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |