BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ150N10LS3GATMA1 par Infineon et BSZ018NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ018NE2LSIATMA1 |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | 63 W | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | — |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 1.8 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 69 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Technology | — | OptiMOS (Infineon trench MOSFET) |
| Lead-Free | — | Yes |