BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSZ150N10LS3GATMA1 от Infineon и BSZ018NE2LSIATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 - 25V N-Ch OptiMOS 1.8mOhm MOSFET | Infineon

BSZ018NE2LSIATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,65 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Technology / Family OptiMOS 3 —
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 15 mΩ —
Power Dissipation (TA=25 °C) 2.1 W —
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) 63 W —
Корпус PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature Range (TJ) -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Reflow Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
Диапазон рабочих температур — -55 C to +150 C
Technology — OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену