BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ150N10LS3GATMA1 par Infineon et BSZ036NE2LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSZ150N10LS3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSZ150N10LS3GATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) 40 A —
On-Resistance RDS(on) max 15 mΩ —
Power Dissipation (TA=25 °C) 2.1 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 63 W —
Boîtier PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature Range (TJ) -55 °C to +150 °C —
Gate Threshold VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Reflow Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (Unlimited)
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

Fiches techniques et ressources

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