BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSZ150N10LS3GATMA1 por Infineon e BSZ036NE2LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,65 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| Dissipação de potência (TC=25°C) | 63 W | — |
| Encapsulamento | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 (Unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |