BSZ150N10LS3GATMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSZ150N10LS3GATMA1 제조: Infineon 및 BSZ036NE2LSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSZ150N10LS3GATMA1 | BSZ036NE2LSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.65 | $0.42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ150N10LS3GATMA1 | — |
| Technology / Family | OptiMOS 3 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 °C) | 40 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA=25 °C) | 2.1 W | — |
| 전력 손실 (TC=25°C) | 63 W | — |
| 패키지 | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature Range (TJ) | -55 °C to +150 °C | — |
| Gate Threshold VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Reflow | Yes (lead-free, 260 °C peak reflow compatible) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] | 1 (Unlimited) |
| Product Family | — | OptiMOS 25V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 37 W |
| Configuration | — | Single |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |