BSZ900N20NS3GATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ900N20NS3GATMA1 par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3
BSZ900N20NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ900N20NS3GATMA1 | BSC0906NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,48 |
| Part Number | BSZ900N20NS3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 15.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 90 mΩ | — |
| Typical RDS(on) @ VGS=10V | 77 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 62.5 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes (EAS) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 63 A |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 30 W |
| RDS(on) max (typical reference) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction, typical) |
| Nombre de broches | — | 8 |