BTF3050TEATMA1 vs BTS51202EKAXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTF3050TEATMA1 par Infineon et BTS51202EKAXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTF3050TEATMA1 BTS51202EKAXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $1,68
Switch Type N-Channel Low-Side Power Switch —
Configuration de sortie 1:1 (Single channel) —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 100 mOhm —
Current Limit (Internal) 30 A —
Logic Input Voltage (Vcc) 3.0 V to 5.5 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Turn-On Time Max 15 us —
Turn-Off Time Max 30 us —
Adjustable Slew Rate Yes (SR pin) —
ESD Protection Yes (on-chip) —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad)
Type de montage Surface Mount (DPAK tab) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Family HITFET+ (low-side) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Topologie — Dual High-Side Switch (2 channels)
Technology — Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Number of Channels — 2
On-State Resistance (RDS(on)) — 120 mΩ (typical per channel)
Continuous Output Current — 2 A per channel (typical 2.5 A)
Operating Voltage (Vbb) — 8 V to 18 V
Load Type — Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads
Température de fonctionnement — -40 °C to +150 °C
Maximum Power Dissipation — 1800 mW
Integrated Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery
Diagnostic Output — Yes (status feedback pin)
Charge Pump — Integrated
Automotive Qualified — Yes

Fiches techniques et ressources

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