BTF3050TEATMA1 vs BTS51202EKAXUMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BTF3050TEATMA1 por Infineon e BTS51202EKAXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BTF3050TEATMA1 BTS51202EKAXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,38 $1,68
Switch Type N-Channel Low-Side Power Switch —
Configuração de saída 1:1 (Single channel) —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 100 mOhm —
Current Limit (Internal) 30 A —
Logic Input Voltage (Vcc) 3.0 V to 5.5 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
Turn-On Time Max 15 us —
Turn-Off Time Max 30 us —
Adjustable Slew Rate Yes (SR pin) —
ESD Protection Yes (on-chip) —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TO252-5-11 (DPAK-5) PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount (DPAK tab) Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
Family HITFET+ (low-side) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Topologia — Dual High-Side Switch (2 channels)
Technology — Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump)
Number of Channels — 2
On-State Resistance (RDS(on)) — 120 mΩ (typical per channel)
Continuous Output Current — 2 A per channel (typical 2.5 A)
Operating Voltage (Vbb) — 8 V to 18 V
Load Type — Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads
Temperatura de operação — -40 °C to +150 °C
Maximum Power Dissipation — 1800 mW
Integrated Protection — Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery
Diagnostic Output — Yes (status feedback pin)
Charge Pump — Integrated
Automotive Qualified — Yes

Fichas técnicas e recursos

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