BTS3011TEATMA1 vs BTS500801TEAAUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS3011TEATMA1 par Infineon et BTS500801TEAAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS3011TEATMA1 BTS500801TEAAUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $2,74
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A 10 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
Boîtier PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab)
Nombre de broches 5 (4 + Tab) —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Current sense (IS pin)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Product Family — Classic PROFET (smart high-side switch)
Topologie — 1:1 N-Channel high-side
Nominal Supply Voltage — 12 V
Load Supply Voltage Range — 4.5 V to 28 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 10 milliohms (typical)
Configuration de sortie — High-side
Fault Protection — Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tape & Reel
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100 target application)
Power Transistor Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump

Fiches techniques et ressources

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