BTS3011TEATMA1 vs BTS500801TEAAUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BTS3011TEATMA1 제조: Infineon 및 BTS500801TEAAUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BTS3011TEATMA1 BTS500801TEAAUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.51 $2.74
Product Type Smart Low-Side Power Switch —
Number of Channels 1 1
On-Resistance R_DS(on) (typ.) 11 mΩ —
Continuous Load Current 10 A 10 A
Operating Voltage Range 3 V to 28 V —
Switch Technology N-channel vertical power MOSFET —
Input Type Logic-level CMOS compatible —
패키지 PG-TO252-5 (DPAK-5) PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab)
핀 수 5 (4 + Tab) —
동작 접합 온도 -40 °C to +150 °C —
ESD Protection (HBM) ±8 kV (output pin) —
AEC-Q100 Qualification Grade 1 qualified —
Integrated Protections Current limit, overtemperature shutdown, overvoltage clamp, ESD, ground-loss protection —
Diagnostic Output Open-drain status feedback pin Current sense (IS pin)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Product Family — Classic PROFET (smart high-side switch)
토폴로지 — 1:1 N-Channel high-side
Nominal Supply Voltage — 12 V
Load Supply Voltage Range — 4.5 V to 28 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 10 milliohms (typical)
출력 구성 — High-side
Fault Protection — Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — Tape & Reel
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q100 target application)
Power Transistor Technology — N-channel vertical power MOSFET with charge pump

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