DS1249AB-70IND+ vs DS1249AB-70IND Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DS1249AB-70IND+ par Analog Devices et DS1249AB-70IND par Analog Devices. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Analog Devices
DS1249AB-70IND+ DS1249AB-70IND+ - 2Mb NVSRAM 32-EDIP 70ns | Maxim Integrated

DS1249AB-70IND+ - 2Mb NVSRAM 32-EDIP 70ns | Maxim Integrated

DS1249AB-70IND+ ✓ Actif
Analog Devices
DS1249AB-70IND DS1249AB-70IND - 2Mb NVSRAM, 70ns, 32-EDIP | Analog Devices

DS1249AB-70IND - 2Mb NVSRAM, 70ns, 32-EDIP | Analog Devices

DS1249AB-70IND ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre DS1249AB-70IND+ DS1249AB-70IND
Marque Analog Devices Analog Devices
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $65,80 $49,85
Type de mémoire NVSRAM (Non-Volatile SRAM) NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Taille de mémoire 2 Mbit (2,097,152 bits) 2 Mbit (262,144 x 8)
Organisation de la mémoire 256K x 8 262,144 words x 8 bits
Interface Parallel Parallel
Access Time 70 ns (max) 70 ns
Write Cycle Time 70 ns (word write, no write delay) —
Data Retention 10 years (typical, with internal lithium cell) 10 years minimum (no external power)
Supply Voltage (VCC) 5 V ±10% (typical 4.5 V to 5.5 V) —
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +85 °C (industrial, -IND suffix) —
Boîtier / Format 32-EDIP (Extended DIP, 0.600 in / 15.24 mm) —
Type de montage Through-Hole (DIP module with socket) Through-Hole (DIP module)
Nombre de broches 32 —
Built-in Battery Yes (internal lithium energy source) —
Write Protection Automatic on VCC out-of-tolerance Automatic on VCC out-of-tolerance
Endurance Unlimited SRAM read/write cycles —
Statut RoHS Compliant (per Maxim Integrated product page) Contains lithium - subject to special handling rules
Shipping Regulation UN3481 PI970 (lithium battery - air/sea per IATA) —
Lead-Free / Halogen-Free Lead-free (RoHS compliant) —
Write Cycle Endurance — Unlimited writes
Backup Mechanism — Internal lithium energy cell + VCC monitor
Operating Voltage (VCC) — 5 V (typical NVSRAM range)
Température de fonctionnement — -40C to +85C (industrial, -IND suffix)
Boîtier — 32-EDIP (Extended DIP module, 0.600 inch / 15.24 mm)
Technology — Low-power CMOS

Fiches techniques et ressources

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