DS1249AB-70IND+ vs DS1249AB-70IND 비교
다음의 상세 나란히 비교: DS1249AB-70IND+ 제조: Analog Devices 및 DS1249AB-70IND 제조: Analog Devices. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | DS1249AB-70IND+ | DS1249AB-70IND |
|---|---|---|
| 브랜드 | Analog Devices | Analog Devices |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $65.80 | $49.85 |
| 메모리 유형 | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 메모리 크기 | 2 Mbit (2,097,152 bits) | 2 Mbit (262,144 x 8) |
| 메모리 구성 | 256K x 8 | 262,144 words x 8 bits |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns (max) | 70 ns |
| Write Cycle Time | 70 ns (word write, no write delay) | — |
| Data Retention | 10 years (typical, with internal lithium cell) | 10 years minimum (no external power) |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V ±10% (typical 4.5 V to 5.5 V) | — |
| 동작 온도 범위 | -40 °C to +85 °C (industrial, -IND suffix) | — |
| 패키지 / 케이스 | 32-EDIP (Extended DIP, 0.600 in / 15.24 mm) | — |
| 실장 유형 | Through-Hole (DIP module with socket) | Through-Hole (DIP module) |
| 핀 수 | 32 | — |
| Built-in Battery | Yes (internal lithium energy source) | — |
| Write Protection | Automatic on VCC out-of-tolerance | Automatic on VCC out-of-tolerance |
| Endurance | Unlimited SRAM read/write cycles | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per Maxim Integrated product page) | Contains lithium - subject to special handling rules |
| Shipping Regulation | UN3481 PI970 (lithium battery - air/sea per IATA) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Lead-free (RoHS compliant) | — |
| Write Cycle Endurance | — | Unlimited writes |
| Backup Mechanism | — | Internal lithium energy cell + VCC monitor |
| Operating Voltage (VCC) | — | 5 V (typical NVSRAM range) |
| 동작 온도 | — | -40C to +85C (industrial, -IND suffix) |
| 패키지 | — | 32-EDIP (Extended DIP module, 0.600 inch / 15.24 mm) |
| Technology | — | Low-power CMOS |