EP2S180F1508C3 vs EP2S180F1020C3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP2S180F1508C3 par Intel et EP2S180F1020C3 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP2S180F1508C3 EP2S180F1020C3
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Unknown Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1 280,00
Product Type Field Programmable Gate Array (FPGA) —
Series Stratix II Stratix II
Logic Array Blocks 8,970 LABs —
Gate Count 180,000 gates —
User I/Os 1,170 I/Os —
Tension d'alimentation 1.15 V to 1.25 V —
Boîtier 1508-BBGA, FCBGA 1020-ball FBGA (flip-chip BGA)
Supplier Device Package 1508-FBGA (30x30 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Terminal Form Ball —
Number of Terminals 1,508 —
Package Code BGA —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial (0C to +85C)
Logic Elements [DATA_NEEDED: logic element count] —
Embedded Memory [DATA_NEEDED: embedded memory capacity] —
Transceivers [DATA_NEEDED: transceiver count and speed] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 status] —
Device Family — EP2S180
Equivalent Logic Elements (LEs) — 179,400
Logic Array Blocks (LABs) — 8,970
Embedded Memory (RAM bits) — 9,383,040
Maximum User I/Os — 742
Process Node — 90 nm, all-layer copper SRAM
Core Voltage — 1.2 V
Speed Grade — C3
DSP Blocks — Dedicated high-speed multipliers
Memory Interfaces Supported — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
I/O Standards — LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL
Configuration Method — SRAM-based (volatile, requires boot device)
Development Toolchain — Quartus II / Quartus Prime

Fiches techniques et ressources

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