EP3SE110F1152I4 vs EP3SE110F1152I2N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE110F1152I4 par Intel et EP3SE110F1152I2N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE110F1152I4 EP3SE110F1152I2N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 020,00 $1 480,00
Family Stratix III E Stratix III
Logic Elements (LE) 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4300 —
DSP Blocks 744 —
Embedded Memory (bits) 8,936,448 —
User I/Os 744 —
Boîtier 1152-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) —
Température de fonctionnement -40°C to +100°C (Industrial) -40C to +100C (industrial)
Process Node 40 nm —
Maximum User I/O Speed [DATA_NEEDED: maximum I/O toggle rate MHz] —
PLLs 24 —
Configuration Modes JTAG, Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), Active Serial (AS) —
Memory Interface Support DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II —
Transceiver Protocol Support PCIe Gen1/Gen2, Gbit Ethernet, XAUI, Serial RapidIO —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — Stratix III Enhanced (EP3SE110)
Logic Array Blocks (LABs) / CLBs — 4,300
System Gates — 8,936,448
User I/O Pins — 744
Number of Terminals — 1,152
Package Code — BGA (FCBGA)
Package Shape — Square
Ball Pitch — 1.00 mm
Supply Voltage Range — 1.05 V to 1.15 V (nominal 1.1 V)
Process Technology — 40 nm low-power CMOS
Maximum Internal Clock Frequency — 100 MHz (per distributor summary; device supports multi-Gbps transceivers)
Speed Grade — I2
Lead-Free / RoHS — Yes (suffix N)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis