EP3SE110F1152I4 vs EP3SE110F1152I2N Comparação

Comparação detalhada lado a lado de EP3SE110F1152I4 por Intel e EP3SE110F1152I2N por Intel. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro EP3SE110F1152I4 EP3SE110F1152I2N
Marca Intel Intel
Categoria FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Status do ciclo de vida Obsolete Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1.020,00 $1.480,00
Family Stratix III E Stratix III
Logic Elements (LE) 107,500 107,500
Logic Array Blocks (LABs) 4300 —
DSP Blocks 744 —
Embedded Memory (bits) 8,936,448 —
User I/Os 744 —
Encapsulamento 1152-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) —
Temperatura de operação -40°C to +100°C (Industrial) -40C to +100C (industrial)
Process Node 40 nm —
Maximum User I/O Speed [DATA_NEEDED: maximum I/O toggle rate MHz] —
PLLs 24 —
Configuration Modes JTAG, Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP), Active Serial (AS) —
Memory Interface Support DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II —
Transceiver Protocol Support PCIe Gen1/Gen2, Gbit Ethernet, XAUI, Serial RapidIO —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — Stratix III Enhanced (EP3SE110)
Logic Array Blocks (LABs) / CLBs — 4,300
System Gates — 8,936,448
User I/O Pins — 744
Number of Terminals — 1,152
Package Code — BGA (FCBGA)
Package Shape — Square
Ball Pitch — 1.00 mm
Supply Voltage Range — 1.05 V to 1.15 V (nominal 1.1 V)
Process Technology — 40 nm low-power CMOS
Maximum Internal Clock Frequency — 100 MHz (per distributor summary; device supports multi-Gbps transceivers)
Speed Grade — I2
Lead-Free / RoHS — Yes (suffix N)

Fichas técnicas e recursos

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