EP3SE110F780C3N vs EP3SE110F780C2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE110F780C3N par Intel et EP3SE110F780C2 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE110F780C3N EP3SE110F780C2
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 245,00 $4 350,00
Family Stratix III E Stratix III E (Enhanced)
Logic Elements (LEs) 107,500 —
Embedded Memory Bits 8,936,448 —
Logic Array Blocks (LABs) 4,300 —
User I/Os 488 —
Boîtier 780-ball FCBGA (Flip-Chip BGA) 780-BBGA, FCBGA (FineLine)
Core Voltage 1.1 V —
Process Technology 65 nm —
Maximum Operating Frequency 500 MHz —
DSP Blocks Yes (integrated, count varies by configuration) —
Transceiver Channels 8 (multi-gigabit) —
Embedded Memory TriMatrix (MLAB + M9K + M144K) 8,936,448 bits (8.93 Mbit)
Configuration Method Serial / Parallel via Quartus II —
Operating Temperature Grade Commercial (C suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — EP3SE110
Logic Elements (LE) — 107,500
Maximum User I/O — 488
Embedded Multipliers — 768 (18x18)
PLLs — 4
Process Node — 65 nm
Core Voltage (VCCINT) — 1.1 V
Température de fonctionnement — 0C to +85C (Commercial)
Speed Grade — C2
I/O Standards Supported — LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL

Fiches techniques et ressources

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