EP4CE75F29I7 vs EP4CE115F23I7N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE75F29I7 par Intel et EP4CE115F23I7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE75F29I7 EP4CE115F23I7N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $121,30 $87,95
Series Cyclone IV E Cyclone IV E
Manufacturer Intel (formerly Altera) —
Logic Elements (LEs) 75,408 —
Embedded Memory (bits) 2,810,880 —
Embedded Memory Blocks 274 (M9K) —
Embedded 18×18 Multipliers 200 —
PLLs 4 —
User I/O Count 426 —
Boîtier 780-ball FBGA (FineLine BGA) 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch
Température de fonctionnement -40 °C to +100 °C (Industrial) -40C to +100C (Industrial)
Process Node 60 nm low-power CMOS —
Core Voltage (VCCINT) 1.0 V / 1.2 V selectable —
Configuration Modes JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) —
I/O Standards Supported LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL —
External Memory Interfaces DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 3 (168 hours) 3
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Family — EP4CE115 (F23 package)
Logic Elements (LE) — 114,480
Embedded Memory Bits — 3,981,312 bits
Maximum User I/Os — 280
Logic Array Blocks (LABs) — 7,180
Number of PLLs — 4
18x18 Hardware Multipliers — 266
Core Voltage — 1.0 V / 1.2 V
I/O Voltage Banks — 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Process Technology — 60 nm low-power CMOS (TSMC)
Configuration Method — JTAG, Active Serial, Active Parallel
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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