EPC2T32U vs EPC2T32U-CAF48 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPC2T32U par Altera et EPC2T32U-CAF48 par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPC2T32U EPC2T32U-CAF48
Marque Altera Altera
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $16,10 $17,60
Fonction Configuration PROM for SRAM-based LUT FPGAs —
Memory Density 1.6 Mbit 2 Mb (2097152 bits)
Tension d'alimentation 3.3 V or 5.0 V (user-selectable) —
Programmability In-system programmable via JTAG (IEEE 1149.1) —
Configuration Modes Supported Passive serial, passive parallel synchronous, passive parallel asynchronous, JTAG —
Boîtier 32-pin TQFP 48-pin QFN (CAF suffix)
Température de fonctionnement Commercial / Industrial grade [DATA_NEEDED: exact range] -40 C to +85 C (industrial grade, "U")
Cascading Support Yes, via dedicated cascade port for density expansion —
Compression Support Altera bitstream decompression (up to 50% storage reduction) —
Compatible FPGA Families APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K —
Lead-Free Finish Yes (per part suffix 'U') Yes (CAF suffix indicates lead-free)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Hand-shake Pins nSTATUS, nCONFIG, CONF_DONE —
Type de mémoire — Non-volatile flash configuration memory
Configuration Interface — Altera FPP (8-bit) / PS (4-wire) / AS (serial)
Maximum Configuration Clock (DCLK) — 8 MHz
Supply Voltage (VCC) — 3.3 V (typical)
I/O Tolerance — 5 V tolerant
Program/Erase Endurance — 10,000 cycles per sector minimum
Data Retention — 20 years minimum
Programming Interface — IEEE 1149.1 (JTAG) / IEEE 1532
Supported FPGA Families — Cyclone, Cyclone II, Stratix, APEX 20K, ACEX 1K, Mercury, Excalibur

Fiches techniques et ressources

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