EPF10K200EBI600-2N vs EPF10K200EBI600-2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K200EBI600-2N par Intel et EPF10K200EBI600-2 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $140,00 $198,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Typical Gates 200,000 —
Maximum System Gates 513,000 —
Logic Elements (LEs) 9,984 9,984
Embedded Array Blocks (EABs) 12 12 (typical for this density)
Total RAM Bits 98,304 —
User I/O Pins 470 470
Dedicated Inputs 6 —
Boîtier 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch) BGA-600, 45 x 45 mm, 1.27 mm pitch
Technology / Process 0.22 µm CMOS SRAM —
Core Supply Voltage 2.5 V (2.3 V to 2.7 V) —
I/O Supply Voltage 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available) —
Propagation Delay 0.4 ns to 0.6 ns (per LE) 0.4 ns (per -2 speed grade)
Maximum Internal Frequency 200 MHz —
Température de fonctionnement 0 °C to +70 °C (commercial) 0 C to 70 C (commercial)
Configuration Method SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM JTAG / ByteBlaster (SRAM configuration)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free package)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
System Gates — 200,000
Logic Array Blocks (LABs) — 1,248
Embedded RAM — 98,304 bits
Supply Voltage (VCCINT) — 2.5 V
Logic Family — CMOS, SRAM-based

Fiches techniques et ressources

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