EPF6010ANTC100-2 vs EPF6010ATC100-3N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPF6010ANTC100-2 par Intel et EPF6010ATC100-3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Intel
EPF6010ANTC100-2 - FLEX 6000 FPGA, 880 LEs, 71 I/O, 100-TQFP | Intel
EPF6010ANTC100-2 ⚠ Dernier achatIntel
EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | EPF6010ANTC100-2 | EPF6010ATC100-3N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $17,50 | $9,95 |
| Family | FLEX 6000 / FLEX 6000A | FLEX 6000 |
| Logic Elements | 880 | — |
| Programmable I/O Pins | 71 | — |
| Boîtier | 100-pin TQFP (14x14 mm, 0.5 mm pitch) | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) |
| Speed Grade | -2 | -3 |
| Température de fonctionnement | Commercial (0C to +70C) | 0 °C to +70 °C (commercial) |
| Configuration Method | SRAM (volatile), in-system programmable | — |
| Programming Interface | IEEE 1149.1 (JTAG) / passive serial / EPC configuration device | — |
| Supply Voltage (VCCINT) | 5.0 V (FLEX 6000A); 3.3 V (FLEX 6000) | — |
| I/O Standards Supported | TTL, CMOS, PCI (with clamping diodes) | — |
| Number of LABs | [DATA_NEEDED: LAB count] | — |
| Embedded Memory | [DATA_NEEDED: embedded RAM blocks] | — |
| Global Clock Networks | [DATA_NEEDED: global clock count] | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | 3 (168 hours) |
| Packaging | Tray (per Altera packing standard) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] | Compliant |
| Logic Elements / Cells | — | 880 |
| Equivalent Gate Count | — | 10,000 gates |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 88 |
| User I/Os | — | 71 |
| Supply Voltage (Operating) | — | 3.0 V to 3.6 V |
| Maximum Internal Frequency | — | 142.86 MHz |
| Process Technology | — | 0.42 µm CMOS |
| Programming Method | — | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster |