EPM570T144C5N vs EPM570T144C3N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPM570T144C5N par Intel et EPM570T144C3N par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EPM570T144C5N | EPM570T144C3N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Altera |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,35 | $9,60 |
| Family | MAX II | MAX II |
| Series | MAX II Device | — |
| Logic Elements (LEs) | 570 | — |
| Macrocells | 440 | — |
| User I/Os | 116 | 116 |
| Internal User Flash Memory | 8 Kbit | — |
| Global Clocks | 4 | — |
| Process Technology | 0.18 µm 6-layer-metal flash | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.8 V (typical, internally regulated) | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (multi-voltage, per bank) | — |
| Maximum User I/O Pins | 116 | — |
| Propagation Delay (tPD) | 5.5 ns (typical, [DATA_NEEDED: exact speed grade]) | 5.4 ns (max) |
| Maximum Frequency (fMAX) | 201.1 MHz | 300 MHz (typ) |
| Température de fonctionnement | 0 °C to +85 °C (commercial, C5 grade) | 0C to +85C (commercial) |
| Boîtier | TQFP-144 (20 × 20 mm, 0.5 mm pitch) | TQFP-144 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Interface | IEEE 1149.1 JTAG (in-system programmable) | JTAG (IEEE 1149.1), ISP |
| Configuration Storage | On-chip non-volatile flash | — |
| Supported I/O Standards | LVCMOS, LVTTL, PCI, LVDS, SSTL (per bank VCCIO) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 3 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Design Software | Intel Quartus II (MAX II device support) | — |
| Device | — | EPM570 |
| Logic Elements | — | 570 |
| Typical Macrocells | — | 440 |
| User Flash Memory (UFM) | — | 8 Kbits |
| Core Voltage | — | 3.3 V |
| Process | — | 0.18 µm, 6-layer-metal flash CMOS |