FDP100N10 vs IPP120N08S403AKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDP100N10 par onsemi et IPP120N08S403AKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPP120N08S403AKSA1 IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 - 80V 120A N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

IPP120N08S403AKSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre FDP100N10 IPP120N08S403AKSA1
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $2,15
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 75 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on) Max) 10 mOhm —
Power Dissipation (PD) 208 W (Tc) —
Gate-Source Voltage (VGS Max) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) Max) 4.5 V @ 250 uA —
Technology PowerTrench MOSFET —
Boîtier TO-220-3 (TO-220AB) TO-220-3-1 (PG-TO220-3-1)
Type de montage Through Hole Through Hole
Configuration Single MOSFET —
Product Series PowerTrench —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Style de montage Through Hole / TO-220AB package —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (onsemi) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Green Product)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: gate charge] —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A
Pulsed Drain Current (bondwire-limited) — 245 A at 25 C
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 278 W (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) — 2.8 mOhm typical at VGS=10 V, ID=100 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V max
Total Gate Charge (Qg) — 167 nC
Input Capacitance (Ciss) — 11550 pF
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 0.54 K/W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Niveau MSL — MSL1 (peak reflow up to 260 C)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Avalanche Rating — 100% avalanche-tested
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Technology Family — OptiMOS

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