H5AN4G6NBJR-RDC vs H5AN4G6NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-RDC H5AN4G6NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,15 $12,96
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Tension d'alimentation 1.2 V —
Interface CMOS, fully synchronous Parallel
Package Code TFBGA (FBGA-96) —
Package Shape Rectangular —
Package Width 7.5 mm —
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing); -I industrial option -40C to +95C per family datasheet —
Self Refresh Auto / Self Refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
On-Die Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet cover: Lead-Free & Halogen-Free) —
Speed Grade -RDC (see manufacturer datasheet for validated data-rate bin) —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Memory Organization — 256M x 16
Débit de données — 2666 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Technology — CMOS
Température de fonctionnement — -40C to +95C
Boîtier — FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask
Refresh — Auto self-refresh
Statut RoHS — Compliant
Packaging — Tray

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