H5AN4G6NBJR-VKC vs K4A4G165WD-BCTD Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G6NBJR-VKC par SK hynix et K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G6NBJR-VKC K4A4G165WD-BCTD
Marque SK hynix Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $12,96 $19,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Débit de données 2666 Mbps 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Clock Frequency 1.6 GHz (internal reference per distributor data) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Operating Current 38 mA (typical, per distributor data) —
Interface Parallel SSTL-12
Technology CMOS —
Température de fonctionnement -40C to +95C 0C to +85C (commercial)
Boîtier FBGA-96 / TFBGA (PBGA96) 96-ball FBGA
Body Size 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Termination Dynamic on-chip termination (ODT) —
Calibration ZQ calibration; write leveling —
Protection Functions Asynchronous reset; CRC; data mask —
Refresh Auto self-refresh —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray —
Density — 4 Gbit
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Core Supply (VPP) — 2.5 V
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes (external RZQ resistor)
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

Fiches techniques et ressources

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