H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKIR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-VKIR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $1,98 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Type d'interface | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] |
| Density | — | 4 Gb |
| Débit de données | — | 2666 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40C to +85C (case) |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Product Family | — | H5AN4G4/6/8NBJR series |
| Speed Grade Code | — | -VKI |
| Packing Suffix | — | R (Tape & Reel) |
| VPP Supply | — | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |