H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-VKIR 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ 生産中
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H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-VKIR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $1.98
Memory Density 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
インターフェースタイプ Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Lead Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Density — 4 Gb
データレート — 2666 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Technology — CMOS DRAM
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

データシート&リソース

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