H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHC | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC2400) | 2400 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Boîtier | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Speed Grade | — | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |