H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,18 $2,25
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2400 Mbps (PC2400) 2400 MT/s
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 (JEDEC) JEDEC DDR4 SDRAM
Корпус TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Статус RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] Self-refresh and auto-refresh support
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
Termination — On-die termination (ODT)
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену