H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $2,25
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Taxa de dados 2400 Mbps (PC2400) 2400 MT/s
Tensão de alimentação 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC) JEDEC DDR4 SDRAM
Encapsulamento TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Status RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] Self-refresh and auto-refresh support
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
Termination — On-die termination (ODT)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

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