H5AN4G8NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et H5ANAG4NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $8,09 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 256M x16 |
| Débit de données | 2400 Mbps (PC2400) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC) | CMOS, DDR4 (double data rate) |
| Boîtier | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | FBGA-96 (PBGA96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| Statut RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | Compliant |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +95C |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Clock / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |