H5AN4G8NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и H5ANAG4NBJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz FBGA-96 | SK hynix

H5ANAG4NBJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHC H5ANAG4NBJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,18 $8,09
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Организация памяти 512M x 8 256M x16
Скорость передачи данных 2400 Mbps (PC2400) —
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 (JEDEC) CMOS, DDR4 (double data rate)
Корпус TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) FBGA-96 (PBGA96)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount (BGA)
Technology CMOS DRAM —
Lifecycle Code Active —
Статус RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) Compliant
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] —
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Clock / Data Rate — 1.6 GHz
Data Mask (DM) — Yes
Asynchronous Reset — Yes
On-Die Termination (ODT) — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Self-Refresh — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену