H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-UHI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHCR | H5AN4G8NBJR-UHI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,18 | $2,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | UH (DDR4-2400 class, PC2400) | DDR4-2400 (PC4-19200) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V (VDD) | — |
| Interface | DDR4 SSTL12 | JEDEC DDR4 SDRAM |
| Internal Prefetch | 8n | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA solder-down) | Surface Mount |
| Operating Case Temperature | -40C to +85C (industrial range) | — |
| Extended Temperature Range | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging Suffix | -R = Tape and Reel | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] | Self-refresh and auto-refresh support |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Grade | — | Industrial (-UHI suffix) |
| Débit de données | — | 2400 MT/s |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank group architecture |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |