H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-UHI 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-UHCR 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-UHI 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ 활성
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHI
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.18 $2.25
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
메모리 구성 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) DDR4-2400 (PC4-19200)
공급 전압 1.2 V (VDD) —
인터페이스 DDR4 SSTL12 JEDEC DDR4 SDRAM
Internal Prefetch 8n —
패키지 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA)
실장 유형 Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] Self-refresh and auto-refresh support
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Grade — Industrial (-UHI suffix)
데이터 속도 — 2400 MT/s
Bank Architecture — DDR4 bank group architecture
Termination — On-die termination (ODT)
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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