H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $2,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | PBC |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | — |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Type d'interface | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |