H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.25 $2.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) PBC
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (-UHI suffix) —
データレート 2400 MT/s —
インターフェース JEDEC DDR4 SDRAM —
Bank Architecture DDR4 bank group architecture —
Refresh Self-refresh and auto-refresh support 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC
Termination On-die termination (ODT) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 4 Gbit
インターフェースタイプ — Parallel, JEDEC DDR4
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Clock Frequency — [DATA_NEEDED: Clock Frequency]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Normal Operating Case Temperature — 0C to 85C
Extended Temperature Range — up to 95C case (with increased refresh)
Lead Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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