H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,98 | $2,40 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Boîtier | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Statut du cycle de vie | — | Active |