H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G8NBJR-VKI 제조: SK hynix 및 H5AN4G8NBJR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G8NBJR-VKI | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.98 | $2.40 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| I/O Voltage | 1.2 V (SSTL12) | — |
| 패키지 | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | V (2666) | — |
| Temperature Grade | Industrial (I suffix) | — |
| Architecture | CMOS, 8n prefetch, bank groups | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| DBI Support | Yes (Data Bus Inversion / DM) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| 메모리 크기 | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| 수명 주기 상태 | — | Active |