H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G4NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix et H5AN8G4NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G4NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,25 | $2,98 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 2G x 4 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | Main memory requiring large density and high bandwidth |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Débit de données | — | 2666 Mbps per pin (DDR4-2666) |
| CAS Latency (CL) | — | 19 (CL19, speed bin VK) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 (Jul. 2017) |