H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G4NAFR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G4NAFR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-VKC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G4NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.25 $2.98
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
메모리 구성 512M x 16 2G x 4
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS CMOS
패키지 FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA (PBGA78)
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS 상태 Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) Main memory requiring large density and high bandwidth
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
데이터 속도 — 2666 Mbps per pin (DDR4-2666)
CAS Latency (CL) — 19 (CL19, speed bin VK)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Datasheet Revision — Rev. 1.2 (Jul. 2017)

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