H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G4NAFR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G4NAFR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 2Gx4 | SK hynix

H5AN8G4NAFR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,25 $2,98
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 2G x 4
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS CMOS
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) 78-ball FBGA (PBGA78)
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) Main memory requiring large density and high bandwidth
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Datenrate — 2666 Mbps per pin (DDR4-2666)
CAS Latency (CL) — 19 (CL19, speed bin VK)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Datasheet Revision — Rev. 1.2 (Jul. 2017)

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