H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $6,25 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.2 V |
| Technology | — | CMOS |
| Speed Grade | — | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) |
| Data Rate Class | — | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) |
| Family | — | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR |
| Type de montage | — | Surface Mount (BGA) |
| Statut RoHS | — | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant |
| Application | — | Main memory (high density, high bandwidth) |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |