H5AN8G6NCJR-XXC vs H5AN8G6NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-xxC par SK hynix et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-xxC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $35,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps (VKC speed grade) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Latence CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |