H5AN8G6NDJR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-UHC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $34,60 | $5,74 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | 3200 Mbps (PC4-25600) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | FBGA-96 |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Minimum Operating Temperature | 0 °C | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Additional Features | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Débit de données | — | 2400 MT/s |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +85°C |
| Package Code | — | TFBGA |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |