H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $3,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | TFBGA-96 (rectangular) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| Type d'interface | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Composition | — | CMOS |