H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NDJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $35,00 | $55,68 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Number of Terminals | 96 | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | 85 °C |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Latence CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |