H5AN8G6NDJR vs MT40A512M16TB-062E:R Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR par SK hynix et MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NDJR MT40A512M16TB-062E:R
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $35,00 $60,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organisation de la mémoire 512M x 16 —
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200) 3200 MT/s
Tension d'alimentation 1.2 V —
Boîtier 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Number of Terminals 96 —
Maximum Supply Voltage (Vsup) 1.26 V —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
Latence CAS 22 cycles (at 3200 Mbps) 22
Access Mode Multi Bank Page Burst —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
RoHS Compliant —
Caractéristiques Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
Taille de mémoire — 8 Gbit (512M x 16)
Clock Frequency — 1600 MHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C
Interface — Parallel
Largeur du bus de données — 16 bits
Refresh Time — 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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