H5ANAG4NBJR-RDC vs H5ANAG6NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG4NBJR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC - 16Gb DDR4 SDRAM 4Gx4 1.2V | SK hynix

H5ANAG4NBJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG4NBJR-RDC H5ANAG6NBJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,75 $15,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 4G x 4 [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet]
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Débit de données 2666 MT/s (speed bin NBJR, [DATA_NEEDED: exact MT/s confirmation from datasheet]) 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code)
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-96 (PBGA96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Prefetch 16n (bank group architecture) —
Interface SSTL-12 DDR4, SSTL-12
Caractéristiques Bank groups, CA parity, data CRC, ODT, DLL-off mode —
Refresh Self refresh, 8n refresh [DATA_NEEDED: 1x/2x/4x refresh option] —
Operating Temperature (case) -40C to +85C (industrial; extended to 95C per datasheet conditions) —
Temperature Grade Suffix RDC - industrial temperature, lead-free, halogen-free —
Statut RoHS Compliant (lead-free / halogen-free per RDC suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
VDDQ 1.2 V —
Product Family SK hynix computing 16Gb DDR4 H5ANAG4(8_6)NBJR series —
Manufacturer — SK Hynix
Part Number — H5ANAG6NBJR-VKC
Memory Density — 16Gb (2GB)
Tension d'alimentation — 1.2 V (DDR4 standard)
Température de fonctionnement — -40C to +95C (family grade reference)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes

Fiches techniques et ressources

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